Isbarbardhigga nidaamyada walxaha wareegga isku dhafan ee photonic

Isbarbardhigga nidaamyada walxaha wareegga isku dhafan ee photonic
Jaantuska 1aad wuxuu muujinayaa isbarbardhigga laba nidaam oo maaddi ah, indium Phosphorus (InP) iyo silicon (Si). Naadirnimada indium waxay ka dhigaysaa InP mid ka qaalisan Si. Sababtoo ah wareegyada ku salaysan silicon waxay ku lug leeyihiin korriin yar oo epitaxial ah, wax soo saarka wareegyada ku salaysan silicon badanaa wuu ka sarreeyaa kan wareegyada InP. Wareegyada ku salaysan silicon, germanium (Ge), kaas oo badanaa loo isticmaalo oo keliyaSawir-qaade(qalabka lagu ogaado iftiinka), waxay u baahan tahay korriin epitaxial ah, halka nidaamyada InP, xitaa hagaha hirarka aan firfircooneyn waa in lagu diyaariyaa koritaanka epitaxial. Kobaca epitaxial wuxuu u janjeeraa inuu leeyahay cufnaan cillad ka sarreysa koritaanka kiristaalka keli ah, sida laga soo bilaabo galaas kiristaal ah. Hagaha hirarka InP waxay leeyihiin isbarbardhig tusmada refractive sare oo keliya oo ku jira isdhaafsiga, halka hagaha hirarka ku salaysan silikoon ay leeyihiin isbarbardhig tusmada refractive sare oo ku jira isdhaafsiga iyo dhererka labadaba, taas oo u oggolaanaysa aaladaha ku salaysan silikoon inay gaaraan radii foorarsiga yar yar iyo qaabab kale oo isku dhafan. InGaAsP waxay leedahay farqi toos ah oo xarig ah, halka Si iyo Ge aysan lahayn. Natiijo ahaan, nidaamyada walxaha InP way ka sarreeyaan marka la eego waxtarka laysarka. Oksaydhyada gudaha ee nidaamyada InP ma aha kuwo deggan oo adag sida oksaydhyada gudaha ee Si, silicon dioxide (SiO2). Silicon waa walax ka xoog badan InP, taasoo u oggolaanaysa isticmaalka cabbirrada wafer ee waaweyn, tusaale ahaan laga bilaabo 300 mm (dhakhso loo casriyeyn doono 450 mm) marka la barbar dhigo 75 mm ee InP. InP.modulatorsbadanaa waxay ku xiran tahay saameynta Stark ee ku xiran quantum, taas oo xasaasiyad ku leh heerkulka sababtoo ah dhaqdhaqaaqa geeska xargaha oo ay keento heerkulku. Taas bedelkeeda, ku tiirsanaanta heerkulka ee modulators-ka ku salaysan silicon aad bay u yar tahay.

Tiknoolajiyadda Silicon Photonics guud ahaan waxaa loo arkaa oo keliya mid ku habboon alaabada qiimaha jaban, kuwa gaaban, iyo kuwa mugga sare leh (in ka badan 1 milyan oo xabbo sannadkii). Tani waa sababta oo ah si weyn ayaa loo aqbalay in loo baahan yahay xaddi badan oo awood wafer ah si loo faafiyo maaskarada iyo kharashyada horumarinta, iyo intiknoolajiyada Silicon Photonicswaxay leedahay khasaarooyin waxqabad oo muhiim ah oo ku saabsan codsiyada wax soo saarka ee magaalooyinka-magaalada iyo kuwa muddada dheer. Si kastaba ha ahaatee, dhab ahaantii, liddi ku ah waa run. Codsiyada qiimaha jaban, kuwa muddada gaaban, kuwa wax soo saarka sare leh, laser-ka dusha sare ee daloolka toosan (VCSEL) iyolaysarka tooska ah ee wax laga beddelay (Leysarka DML) : laysarka si toos ah loo habeeyey wuxuu keenaa cadaadis tartan oo weyn, daciifnimada tignoolajiyada photonic-ga ee ku salaysan silicon-ka oo aan si fudud u dhexgelin karin laysarka ayaa noqotay khasaare weyn. Taas bedelkeeda, codsiyada masaafada dheer, sababtoo ah doorbididda isku-darka tignoolajiyada silicon photonics iyo habaynta calaamadaha dhijitaalka ah (DSP) oo isku dhafan (oo inta badan ku jira jawi heerkul sare), waxaa ka faa'iido badan in la kala saaro laysarka. Intaa waxaa dheer, tignoolajiyada ogaanshaha isku-dhafan waxay kaabi kartaa cilladaha tignoolajiyada silicon photonics ilaa xad weyn, sida dhibaatada ah in qulqulka mugdiga ah uu aad uga yar yahay sawirka oscillator-ka maxalliga ah. Isla mar ahaantaana, sidoo kale waa khalad in la fikiro in loo baahan yahay xaddi badan oo awood wafer ah si loo daboolo kharashyada maaskarada iyo horumarinta, sababtoo ah tignoolajiyada silicon photonics waxay isticmaashaa cabbirro gunti ah oo aad uga weyn semiconductors-ka birta ee isku-dhafan (CMOS), sidaa darteed maaskarada loo baahan yahay iyo socodsiinta wax soo saarka waa kuwo raqiis ah.