Agab cusub oo khafiif ah oo jilicsan oo semiconductor ah ayaa loo isticmaali karaa in lagu sameeyo micro iyoaaladaha elektaroonigga ah ee nano optoelectronic
Xargaha, dhumucda dhowr nanometer oo keliya, sifooyin wanaagsan oo indhaha ah… Wariyuhu wuxuu ka bartay Jaamacadda Teknolojiyadda ee Nanjing in kooxda cilmi-baarista ee macallinka Waaxda Fiisigiska ee dugsiga ay diyaarisay kiristaalo lead iodide ah oo tayo sare leh oo tayo sare leh, iyo iyada oo loo marayo si loo gaaro nidaaminta sifooyinka indhaha ee walxaha bir ah ee laba-geesoodka ah ee kala-guurka sulfide, kaas oo bixiya fikrad cusub oo loogu talagalay soo saarista unugyada qorraxda iyosawirqaadayaashaNatiijooyinka waxaa lagu daabacay cadadkii ugu dambeeyay ee joornaalka caalamiga ah ee Advanced Materials.
"Nanosheets-ka lead iodide ee aadka u khafiifsan ee aan markii ugu horreysay diyaarinay, ereyga farsamo waa 'gap band ballaaran oo atomi ahaan qaro weyn leh oo laba-cabbir ah', kaas oo ah walxo semiconductor ah oo aad u khafiif ah oo dhumucdiisu tahay dhowr nanometers oo keliya." Sun Yan, oo ah qoraaga koowaad ee warqadda iyo musharrax dhakhtarnimo oo ka tirsan Jaamacadda Teknolojiyadda ee Nanjing, ayaa sheegay inay adeegsadeen habka xalka si ay u sameeyaan, kaas oo leh shuruudaha qalabka oo aad u hooseeya isla markaana leh faa'iidooyinka fudud, degdega ah iyo hufnaanta, isla markaana dabooli kara baahiyaha diyaarinta agabka baaxadda weyn iyo wax-soo-saarka sare leh. Nanosheets-ka lead iodide ee la sameeyay waxay leeyihiin qaab saddex-xagal ah ama lix-geesood ah oo joogto ah, cabbirka celceliska 6 microns, dusha siman iyo sifooyin wanaagsan oo indhaha ah.
Cilmi-baarayaashu waxay isku dareen nanosheet-kan aadka u khafiifsan ee iodide-ka rasaasta leh iyo sulfide-ka birta ah ee laba-geesoodka ah, oo si macmal ah loo qaabeeyey, waxayna isku dareen, waxayna heleen noocyo kala duwan oo kala-goysyo ah, sababtoo ah heerarka tamarta waxaa loo habeeyey siyaabo kala duwan, sidaa darteed iodide-ka rasaasta leh wuxuu yeelan karaa saameyn kala duwan oo ku saabsan waxqabadka indhaha ee sulfide-ka birta ee laba-geesoodka ah ee kala duwan. Qaab-dhismeedkan xarigga ah wuxuu si wax ku ool ah u horumarin karaa hufnaanta iftiinka, kaas oo ku habboon soo saarista aaladaha sida diode-yada iftiinka soo saara iyo laysarka, kuwaas oo lagu dabaqo bandhigga iyo iftiinka, waxaana loo isticmaali karaa goobta sawir-qaadayaasha iyoaaladaha looxa korontada ku shaqeeya.
Guushani waxay xaqiijinaysaa nidaaminta sifooyinka indhaha ee walxaha laba-geesoodka ah ee birta sulfide-ka ah ee kala-guurka ah iyadoo la adeegsanayo iodide rasaas aad u khafiif ah. Marka la barbar dhigo aaladaha optoelectronic-ka dhaqameed ee ku salaysan walxaha ku salaysan silikoon, guushani waxay leedahay astaamaha dabacsanaanta, micro iyo nano. Sidaa darteed, waxaa loo isticmaali karaa diyaarinta dabacsanaanta iyo isku-dhafka.aaladaha elektiroonigga ah ee optoelectronicWaxay leedahay rajo ballaaran oo ku saabsan adeegsiga aaladaha yaryar iyo kuwa nano optoelectronic ee isku dhafan, waxayna bixisaa fikrad cusub oo loogu talagalay soo saarista unugyada qorraxda, qalabka sawir-qaadista iyo wixii la mid ah.
Waqtiga boostada: Sebtembar-20-2023