Horumarkii ugu dambeeyay eesawir-qaadayaasha xasaasiyadda sare leh ee barafka
Heerkulka qolka xasaasiyad sare 1550 nmqalabka lagu ogaado daadashada barafka
Qaybta u dhow infrared (SWIR), diode-yada barafka xawaaraha sare leh ee xasaasiga ah ayaa si weyn loogu isticmaalaa isgaarsiinta optoelectronic iyo codsiyada liDAR. Si kastaba ha ahaatee, photodiode-ka barafka ee hadda jira ee ku dhow infrared-ka (APD) oo ay ku badan tahay diode-ka burburka barafka ee Indium gallium arsenic (InGaAs APD) ayaa had iyo jeer xaddiday buuqa isku dhaca ionization ee aan kala sooca lahayn ee agabka gobolka isku dhufashada dhaqameed, indium phosphide (InP) iyo indium aluminium arsenic (InAlAs), taasoo keentay hoos u dhac weyn oo ku yimaada xasaasiyadda qalabka. Sannado badan, cilmi-baarayaal badan ayaa si firfircoon u raadinaya agab semiconductor cusub oo la jaan qaadaya hababka madal optoelectronic InGaAs iyo InP waxayna leeyihiin waxqabad buuq ionization ah oo aad u hooseeya oo la mid ah agabka siliconka badan.
Qalabka cusub ee sawir-qaadista ee 1550 nm wuxuu ka caawiyaa horumarinta nidaamyada LiDAR
Koox cilmi-baarayaal ah oo ka kala socda Boqortooyada Midowday (UK) iyo Mareykanka ayaa markii ugu horreysay si guul leh u sameeyay qalab cusub oo xasaasiyad sare leh oo 1550 nm APD photodetector ah (sawir-qaadaha barafka barafka), horumar weyn oo ballanqaadaya inuu si weyn u horumarin doono waxqabadka nidaamyada LiDAR iyo codsiyada kale ee optoelectronic.
Agabka cusub wuxuu bixiyaa faa'iidooyin muhiim ah
Waxa ugu muhiimsan ee cilmi-baaristan waa isticmaalka cusub ee agabka. Cilmi-baarayaashu waxay u doorteen GaAsSb inay noqoto lakabka nuugista iyo AlGaAsSb inay noqoto lakabka wax-soo-saarka. Naqshadeyntani way ka duwan tahay InGaAs/InP-ga dhaqameed waxayna leedahay faa'iidooyin muhiim ah:
1. Lakabka nuugista GaAsSb: GaAsSb wuxuu leeyahay isku-xidhka nuugista oo la mid ah InGaAs, kala-guurka laga bilaabo lakabka nuugista GaAsSb una gudubka AlGaAsSb (lakabka badan) ayaa fudud, taasoo yaraynaysa saameynta dabinka iyo hagaajinta xawaaraha iyo hufnaanta nuugista qalabka.
2. Lakabka isku dhufashada AlGaAsSb: Lakabka isku dhufashada AlGaAsSb wuxuu ka sarreeyaa lakabka isku dhufashada InP iyo InAlAs ee dhaqameed ee waxqabadka. Waxaa inta badan ka muuqda koror sare heerkulka qolka, baaxadda sare iyo buuqa xad-dhaafka ah ee aadka u hooseeya.
Iyada oo leh tilmaamayaasha waxqabadka wanaagsan
CusubSawir-qaade APD(ogaanshaha sawir-qaadaha barafka) sidoo kale wuxuu bixiyaa horumar la taaban karo oo ku saabsan cabbirrada waxqabadka:
1. Kordhin aad u sarreysa: Kordhin aad u sarreysa oo ah 278 ayaa lagu gaaray heerkulka qolka, dhawaan Dr. Jin Xiao wuxuu hagaajiyay hagaajinta qaab-dhismeedka iyo habka, waxaana kor u kacay faa'iidada ugu badan ilaa M=1212.
2. Buuqa aadka u hooseeya: wuxuu muujinayaa buuq aad u hooseeya (F < 3, korodhka M = 70; F<4, kordhinka M = 100).
3. Waxtarka tirada badan: marka la eego faa'iidada ugu badan, waxtarka tirada badan wuxuu gaarayaa 5935.3%. Xasillooni heerkul oo xooggan: xasaasiyadda burburka heerkulka hooseeya waa qiyaastii 11.83 mV/K.
Jaantuska 1aad Buuqa xad-dhaafka ah ee APDaaladaha sawir-qaadahamarka la barbar dhigo sawir-qaadaha kale ee APD
Fursado ballaaran oo codsi ah
APD-gan cusub wuxuu leeyahay saameyn muhiim ah oo ku saabsan nidaamyada liDAR iyo codsiyada photon:
1. Saamiga calaamadda-ilaa-sawaaxa oo la hagaajiyay: Astaamaha kororka sare iyo buuqa hooseeya waxay si weyn u hagaajiyaan saamiga calaamadda-ilaa-sawaaxa, kaas oo muhiim u ah codsiyada deegaannada saboolka ah ee photon-ka, sida la socodka gaaska aqalka dhirta lagu koriyo.
2. Iswaafajin xooggan: Qalabka cusub ee APD photodetector (sawirka barafka) waxaa loogu talagalay inuu la jaanqaado goobaha hadda jira ee indium phosphide (InP) optoelectronics, taasoo hubinaysa is-dhexgal aan kala go 'lahayn oo lala yeesho nidaamyada isgaarsiinta ganacsiga ee jira.
3. Waxtarka hawlgalka sare: Waxay si hufan ugu shaqayn kartaa heerkulka qolka iyada oo aan lahayn farsamooyin qaboojin oo adag, taasoo fududaynaysa dejinta codsiyada kala duwan ee wax ku oolka ah.
Horumarinta sawir-qaadaha cusub ee 1550 nm SACM APD (sawirka sawir-qaadaha barafka) wuxuu matalaa horumar weyn oo ka dhacay goobta, Wuxuu wax ka qabanayaa xaddidaadaha muhiimka ah ee la xiriira buuqa xad-dhaafka ah iyo alaabada xawaaraha sare u kaca ee naqshadaha sawir-qaadaha APD ee dhaqameed (sawirka sawir-qaadaha barafka). Hal-abuurkan waxaa la filayaa inuu kor u qaado awoodaha nidaamyada liDAR, gaar ahaan nidaamyada liDAR ee aan duuliyaha lahayn, iyo sidoo kale isgaarsiinta bannaanka.
Waqtiga boostada: Jan-13-2025